卓力達公司長期供應高精度金屬掩模板，不銹鋼掩模板，價格實惠，量大從優。
產品可以應用于電子束蒸發，熱蒸發，磁控濺射等設備中，用來制備太陽能電池，光電探測器，LED，激光器，場效應晶體管等各種器件電極及各種薄膜材料圖形設計。
我們已與北京大學，清華大學，中科院蘇州納米所，中科院深圳先進院，蘭州物化的，合肥物質所，武漢大學，華中科技大學，中科院昆明植物研究所，北京航空航天大學，山東大學，浙江大學，吉林大學，華南理工，中山大學，東南大學，蘇州大學，太原理工大學等國內眾多的高校和科研院所以及高技術企業形成了長期合作關系，積累了豐富的設計和制備經驗，具備諸多優勢。
卓力達公司的掩模板制備工藝主要采用曝光腐蝕工藝（與光刻法在硅表面制備高精度的圖案類似），這種方法可以根據客戶要求靈活設計各種圖案，且制備出來的圖案尺寸標準。我們的圖案尺寸精度可以達到0.01mm以上，邊緣銳利無毛刺，開孔直線度好，真圓度好。

在材質的選取方面，我們選用高韌性的SUS304 H不銹鋼材料，這樣做出來的掩模板不但精度高，而且表面光滑，產品不易受彎折而變形，經久耐用，同時還能夠讓掩模板與器件保持很緊密的貼合，減少陰影效果。
我們所采用的不銹鋼厚度包括0.03mm,0.05mm,0.06mm,0.08mm到1 mm的各種尺寸，采用較薄的不銹鋼制備出來的掩模板所產生的陰影效果會更少,擾度更可控。
本公司承接各種圖案定制，客戶最好能提供包含尺寸的CAD版設計圖。如果畫圖實在有困難，我們可以根據客戶描述來繪制，同時我們還能對客戶的掩模板設計提供一些建議。
下面先舉幾個掩模板的實例，后面再解釋幾個掩模板的設計技巧。
如下圖所示是各種圖案實例。

在IC加工過程中，需要使用中間掩模板和光掩模板。我們定義中間掩模版是為整個基片曝光而必須分步和重復的包含圖像的工具。通常圖像的尺寸被放大到基片上圖像的2倍到20倍，但在一些情況下也用相等的圖像。光掩模版被定義為在一次曝光中能把圖形轉移到整個硅片中（或另一張光掩模版上）的工具。中間掩模版有兩種應用：1）把圖形復印到工作掩模版上。2）在分步重復對準儀中把圖像直接轉移到硅片上。在1X硅片步進光刻機中，掩模版上的圖形與投影到硅片上圖形一樣大；在縮小步進光刻機中，掩模版上的圖形是放大的真實器件圖像。
     在VLSI中，電子束曝光10X或5X的掩模版，或直接用電子束產生1X 的工作掩
模版

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